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半导体/集成电路

PFCs温室气体与蚀刻尾气监测

场景概述

半导体制造过程中使用NF₃、CF₄等全氟化合物(PFCs)和HCl、Cl₂、SiH₄等特殊气体，对监测系统提出高灵敏度、高选择性和抗腐蚀的严苛要求。OPSIS FTIR-DOAS和TDL技术为半导体洁净室和排放口提供完整方案。

监测类型说明

🏭 排放监测（温室气体）

Scrubber处理后排放口监测

  • PFCs（NF₃/CF₄/SiF₄）
  • HCl、HF浓度
  • NH₃、SiH₄
  • 温室气体量化报告

⚙ 过程气体监测

废气管道特殊气体监测

  • 刻蚀工艺 NF₃/CF₄
  • CVD工艺 SiH₄/NH₃
  • 清洗工艺 HF/HCl
  • 光纤远程传输（洁净室外）

工艺流程与监测点

半导体制造DOAS监测系统架构图

监测目的与价值

⚠ 不监测的风险

  • PFCs温室效应是CO₂的数千倍，需精准量化
  • HCl/Cl₂/HF腐蚀常规传感器
  • SiH₄易燃易爆，需安全远距离监测

✅ 监测带来的价值

  • FTIR-DOAS多组分测量PFCs/NF₃/CF₄等
  • 非接触式抗腐蚀，长期免维护
  • 满足半导体行业特殊气体监测需求

技术方案

FTIR-DOAS红外技术在宽频谱范围内同时识别NF₃、CF₄、SiF₄、HCl、HF等多种气体特征吸收峰。TDL激光用于NH₃和HF的高灵敏度监测。光纤远程传输，可在洁净室外安全区分析。

典型测量参数

NF₃CF₄HClHFSiH₄NH₃

适用产品

🔬

AR650 FTIR

全氟化合物测量

💡

TDL 激光

NH₃/HF痕量监测

📊

DAS 平台

多气路集中管理

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